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Pederson is survived by his wife of 27 years, Karen Pederson (Walnut Creek, Calif.); four children from his first marriage to Claire Nunan; a son, John Pederson (Novato, Calif.); daughters, Katharine Rookard (Patterson, Calif.); Margaret Stanfield (Sacramento, Calif.); and Emily Sanders (San Francisco); and four grandsons.

University officials said a public memorial service is being planned for later this semester on the Berkeley campus. Information regarding the service will soon be posted on a university Web site.

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In lieu of flowers, the family requests that donations be made to the Donald O. Pederson Scholarship Fund, c/o Berkeley Engineering Fund, Room 208, McLaughlin Hall, Berkeley, Calif., 94720-1722.

MÜNCHEN &#151 Auch im neuen Jahr bleibt die Branche nicht von Stellenstreichungen verschont. Die Vorreiter machen National Semiconductor und Hewlett-Packard.

Wie National Semiconductor gestern in den USA bekanntgab, will man weltweit rund 6 Prozent der Belegschaft entlassen; insgesamt 550 Stellen sind bedroht. Die Entlassungen betreffen Betriebe in den USA, Asien und auch Europa. Als Grund nennt das Unternehmen die schwache Auslastung. In der deutschen Niederlassung in Fürstenfeldbruck war zunächst niemand für eine Stellungnahme zu erreichen.

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Auch Hewlett-Packard stutzt seine Belegschaft kräftig zurück. Wie das Magazin Wirtschaftswoche berichtet, plant das IT-Unternehmen die Schließung seiner Niederlassung in Köln mit 160 Beschäftigten. Deutschlandweit wolle HP 300 bis 350 Stellen streichen. Kündigungen wolle man durch interne Versetzungen so weit als möglich vermeiden, heißt es. Dennoch sei bislang nicht klar, ob man gänzlich ohne Entlassungen auskomme. Auch bei HP war wegen des Brückentags am Freitag (7. Januar) niemand für nähere Angaben zu erreichen.

LONDON — Computer processor company Advanced Micro Devices Inc. introduced a range of microprocessors for notebook computers called Turion Thursday (Jan. 6), but did not give any technical details of the processors or explain how they differ from its existing ranges of processors, according to online reports.

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The reports, bylined Las Vegas where the Consumer Electronics Show is taking place, said the Turion line is a 64-bit processor aimed at thin and light” notebooks and at competing with Intel's Centrino. Intel dominates the notebook computer space, the reports said

Computers based on Turion would be available by mid-year, the company said, according to a Reuters report.

Even in the consumer space, they are heading toward a paradigm of increased security and encryption,” said Daya Nadamuni, senior analyst for Gartner Dataquest (San Jose, Calif.). Security content will be a rising trend, even outside the defense industry, probably reaching critical mass in 2006.”

MÜNCHEN &#151 Ein neues Zelldesign für MRAMs soll der nichtflüchtigen Speichertechnik wesentliche Impulse verleihen. Gemeinsam von Toshiba und NEC entwickelt, soll das Design die Fehlerquote und den Energiebedarf für Schreibvorgänge drastisch reduzieren.

Im Rahmen der seit 2002 stattfindenden Zusammenarbeit auf dem Gebiet der Magnet-RAM-Speicher (MRAM) haben Toshiba und NEC eine neue Speicherzelle kreiert.Die Entwickler der beiden Unternehmen verringerten den Schreibstrom, indem sie eine neue Form für den magnetischen Tunnelübergang (MTJ – Magnetic Tunnelling Junction) entwickelten, der die Information in der Zelle speichert. Das Design halbiert den Schreibstrom etwa die Hälfte als bei derzeitigen MRAMs. Schreibfehler verringern sich, selbst wenn in jeder Speicherzelle Schwankungen in der Schaltcharakteristik auftreten.

Außerdem haben die beiden Unternehmen auch eine neue Zellenarchitektur entwickelt, die sie für vielversprechend halten. Der heutige Stand der Forschung bietet zwei grundlegende Designs für eine MRAM-Zellenstruktur: Beim dem einen Design wird jede Zelle mit einem Transistor gekoppelt, was zwar die Lesezeit verkürzt, aber die Kosten aufgrund der größeren Zellengröße erhöht. Beim zweiten gängigen Design, der Cross-Point-(CP)-Struktur, entfällt der Transistor in jeder Zelle. Das reduziert die Zellengröße, aber die Lesezeit erhöht sich dadurch. Zudem können durch Kriechströme Lesefehler entstehen. Die beiden japanischen Unternehmen haben nun eine Hochgeschwindigkeits-CP-Zellstruktur entwickelt, bei der mit einem Transistor vier Zellen gesteuert werden. Damit entsteht eine Zelle, die nicht größer ist als eine Standard-DRAM-Zelle beziehungsweise eine herkömmliche CP-Zelle, aber wesentlich kleiner als eine MRAM-Zelle mit Transistor. Mit der neuen Architektur lassen sich die Lesezeiten auf 250 Nanosekunden drücken, viermal schneller als bei einer herkömmlichen CP-Zellenstruktur.

Durch die gemeinsame Entwicklungsarbeit definieren Toshiba und NEC fundamentale Technologien, die zur Realisierung eines 256-Mbit-MRAMs erforderlich sind. Mittels des MTJ im 250-nm-Design und 130/180-nm-CMOS-Prozesstechnologien soll Anfang 2005 der erste Baustein dieser Art zur Verfügung stehen.

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